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03 2023年IC貿易趨勢(電子元器件發展現狀如何?)
Instagram刷粉絲, Ins買粉絲自助下單平台, Ins買贊網站可微信支付寶付款2024-06-09 11:23:29【】4人已围观
简介化生產能力,華為當前遇到的困境也很大程度上根源于此,我國距離實現高端芯片的量產還有很長的路要走。我國晶圓生產能力發展迅速,已形成相對完整的半導體產業鏈,但產業結構失衡。我國在半導體生產材料——晶圓制造
我國晶圓生產能力發展迅速,已形成相對完整的半導體產業鏈,但產業結構失衡。我國在半導體生產材料——晶圓制造方面取得長足進步。截至2020年12月,中國大陸晶圓產能占全球晶圓產能15.3%的份額,已超越北美(北美占全球晶圓產能的12.6%),成為全球第四大晶圓制造地區(第一名為中國臺灣,占21.4%;第二名為韓國,占20.4%;第三名為日本,占15.8%)。
半導體材料制造的快速發展,對我國整個半導體產業鏈的提升有非常重要的作用。例如,海思半導體是我國IC設計企業龍頭,2016年銷售額達260億,是國內最大的無晶圓廠芯片設計公司。海思半導體的業務包括消費電子、通信、光器件等領域的芯片及解決方案,代表產品為麒麟系列處理器等。2020年10月22日,華為在HUAWEI Mate 40系列全球線上發布會上發布的麒麟9000芯片,采用了5nm工藝制程。據報道,麒麟9000在多個參數上超越驍龍865、蘋果A14等競爭對手。但是,麒麟的加工生產仍然需要海外公司代工,因此麒麟芯片的供應會受到“美國的芯片禁令”等國際因素的影響。我國在半導體產業結構上還存在發展
均衡的問題,難以完全自給自足。
當前,全球半導體產業鏈細分趨勢非常明顯。較諸之前設計、制造和封測在同一公司完成的IDM模式,這三個環節已經形成相對獨立的專業企業分工。全球半導體產業鏈走向分工的過程也是半導體產業鏈全球化的過程。以1996年為分水嶺。在此之前,中國半導體產業受制于國際和國內政治因素,與全球半導體產業發展的“摩爾定律”速度完全脫節。但在1996年之后,通過“908”“909”工程等系列戰略推動,加上進入21世紀以來全產業鏈的系列配套發展,我國半導體產業體系已經取得了長足進步,當前中國已躍升為晶圓代工產業全球第二大國。從中國半導體產業技術發展進程看,中國半導體制造工藝從落后3代以上,縮小為僅落后1~2代。
同時,我們也要看到,在芯片制造環節,雖然有“908”“909”工程以及最近十余年來國家的大力推動,但中國集成電路產業的落后依然不容置疑。必須承認,整體的產業結構嚴重失衡,設計企業少而弱,制造方面雖有半導體巨頭紛紛設廠,但以封裝測試為主,而且由于國外政策的限制,制造工藝均落后于國外。至于制造設備,幾乎完全依賴進口。這些問題我們依然要面對,而且還需要深入分析和挖掘原因。
04 我國智能制造發展面臨的問題及對策建議
智能制造業人才緊缺,需加快培養相關人才。我國智能制造面臨人才缺口大、培養機制跟不上、現有制造業人員適應智能制造要求的轉型難度較大等問題。
一是整體人才缺口大。我國教育部、人力資源和社會保障部、工業和信息化部聯合發布的《制造業人才發展規劃指南》預測,到2025年,高檔數控機床和機器人有關領域人才缺口將達450萬,人才需求量也必定會在智能制造不斷深化中變得更大。
二是人員流動性大,且劉易斯拐點后人口紅利在縮小。不僅是人才缺口大,制造業人員流動性也很大。根據中金公司的調研,在跨過劉易斯拐點后,制造業勞動力市場中需求方的議價能力下降。例如,有紡織企業反映2012年以來企業在國內就面臨基層員工招不進來、大專生留不下來的情況;另外,有些汽車配件企業希望可以留住熟練工人,但新冠肺炎疫情發生后,部分四川、重慶的工人可能選擇不再回來,過去幾年的產業內遷也使很多中西部勞動力選擇就近就業。
三是智能制造轉型升級創造的新職位需要新型技術人才,但傳統就業人員并不一定能在短期內轉型并適應新職位需求。以工業互聯網為例,中國工業互聯網研究院的研究表明,工業互聯網相關職業在不斷涌現。2019年、2020年國家發布的29個新職業中,與工業互聯網相關的達到13個,如大數據工程技術人員、云計算工程技術人員,占新增職業的44.8%。要勝任這些新職位需要較高、較新的知識儲備,原有傳統制造業領域的工程技術人員要滿足這些新崗位的技能需求,需要時間培養。
以上都是智能產業結構升級過程中難以避免的問題。要解決這些問題,可從兩方面著手。一方面,建立更為健全的在職教育體系、提供在職教育的認可度和含金量。制造業是就業的重要領域,相關人員的轉型升級是邁向智能制造的前提。在人才缺口較大的情況下,在職人員“干中學(Learning by doing)”是制造業智能化人才培養比較務實的路徑。同時,用人單位也要拋棄對在職學習的成見和歧視,避免“唯學歷論”,要根據制造業實際需求和個人能力來選用人才。
另一方面,制造業人才使用面臨“Z世代”挑戰。“Z世代”是美國及歐洲的流行用語,意指1995~2009年間出生的人,又稱網絡世代、互聯網世代,統指受互聯網、即時通信、短信、MP3、智能手機和平板電腦等科技產物影響很大的一代人。面對時代變化,制造業傳統的用人管人方式需要轉變,使年輕一代能夠留得下來、干得下去,能夠越干越有希望。
工業互聯網的安全問題需引起高度重視,進一步細化明確責任體系。工業互聯網作為智能制造的“血脈”,其安全性直接關系到智能制造的安全。工業互聯網和制造系統具有高度集成的特征,而這些集成使智能制造系統更容易受到網絡威脅的攻擊。2019年7月,工業和信息化部等十部門聯合印發了《加強工業互聯網安全工作的指導意見》(以下簡稱《指導意見》),提出了兩大總體目標:一是到2020年年底,工業互聯網安全保障體系初步建立;二是到2025年,制度機制健全完善,技術手段能力顯著提升,安全產業形成規模,基本建立起較為完備可靠的工業互聯網安全保障體系。
當前,我國工業互聯網面臨的威脅較為嚴峻。2020年1月至6月,國家工業互聯網安全態勢感知與風險預警平臺持續對136個主要互聯網平臺、10萬多家工業企業、900多萬臺聯網設備安全監測,累計監測發現惡意網絡行為1356.3萬次、涉及2039家企業。有數據顯示,截至2020年6月,我國工業互聯網雖然總體安全態勢平穩,未發現重大工業互聯網安全問題,但對工業互聯網基礎性設備和系統的攻擊正在增多,攻擊范圍、深度都在擴張,未來工業互聯網面臨嚴峻安全挑戰。
工業互聯網安全問題難以避免地會隨著智能制造升級發展而不斷變化,因此相關的防范體制機制是關鍵所在。《指導意見》特別強調,到2020年年底,“制度機制方面,建立監督檢查、信息共享和通報、應急處置等工業互聯網安全管理制度,構建企業安全主體責任制,制定設備、平臺、數據等至少20項亟需的工業互聯網安全標準,探索構建工業互聯網安全評估體系”。由此可見,工業和信息化部等我國相關主管部門對工業互聯網安全問題的復雜性和多部門協同聯防聯控的重要性有充分認識。而細化工業互聯網各領域、各環節的責任體系,是多部門合作防控的首要問題。因此,在加強相關標準建設的同時,也要進一步細化相關安全體系的職責,需要將防范工作落實到具體的主管部門。
半導體、高端數控機床、工業機器人核心零部件等的國產替代需要我國提高自主創新能力,建議進一步深化科研體制改革、加強科研機構與產業界的聯動,通過提高國家系統自主創新能力來推動關鍵領域的技術瓶頸突破。半導體、高端數控機床、工業機器人核心零部件這些領域在技術路徑上是密切相關的。例如,這三個領域在傳感器、控制系統、各種智能芯片模塊方面均有相似或共同的技術棧。我國要提高這些領域的國產替代率,不是依靠個別技術突破能夠實現的。半導體、高端數控機床、工業機器人核心零部件的國產替代突破需要依托國家系統創新能力的提升,這將是一個長期的過程。在國家層面,目前這幾大領域主要依靠相關部委和地方產業政策支持,但缺乏中央的統一戰略。建議立足于國家整體系統創新能力的提高,從中央層面明確具體的責任人,統籌半導體、高端數控機床、工業機器人核心零部件等領域自主創新問題。通過中央層次的統籌,在不斷改革中建立與解決當前半導體、高端數控機床、工業機器人核心零部件“卡脖子”問題相適應的國家系統自主創新機制,建立制度化的創新突破能力,推動我國智能制造邁上新的臺階。
加快智能制造升級發展,需進一步激活民營企業活力,完善相關市場競爭和退出機制。一方面,未來我國企業的智能制造轉型升級,在國企做大做強的同時,民營制造業發展的動能不容忽視。2018年以來,我國對于行政性政策對民營企業的影響問題已有較深入的認知,特別是政策剛性對民營企業生命力的影響問題,需要長期警醒。此外,我國智能制造同時也要為“小微民營企業”預留發展空間,引導和促進小微企業形成或者融入產業鏈。
另一方面,我國大部分制造業領域已經不是幼稚產業,保護與競爭、政策支持和市場退出機制等需要并行推進。以半導體產業為例,我國半導體芯片需求當前已經占據全球第一,除了芯片制造還與國際發展存在較大差距,我國在晶圓材料生產、封測和電子產品制造方面的全球競爭中已經具備較強的競爭力。結合美國的半導體產業經驗,在行業發展早期是需要產業政策扶持的,但是隨著產業自身發展的不斷成熟,要逐步從產業政策推進向產業政策與貿易政策相結合的方式過渡,適當引進競爭機制,淘汰落后產能,為有競爭力的企業提供更好的創新空間。因此,我國半導體行業最終仍需面對與美國等發達國家在全球的較量,長期的競爭與較量將是常態。
cis芯片相關上市公司
(本報告及更多優秀報告請訪問未來智庫“鏈接”。)
1.CIS芯片是最終產品的核心組件。
1.1 CIS芯片是相機的關鍵部件。
傳感器分為兩類:CCD傳感器和CIS傳感器。CCD傳感器主要用于單反相機和工業使用等場景。CIS傳感器由于體積更小、成本更低,廣泛使用于手機、汽車、安防、醫療等場景。
CIS芯片作為相機產品的核心芯片,決定著相機的成像質量。CIS芯片通過將光信號轉換成電信號來捕獲圖像信息。攝像頭產品一般分為三個核心部件,分別是CIS芯片、光學鏡頭和音圈電機。其中,CIS芯片是相機產品中價值占比最大的關鍵部件。根據TrendForce的統計,手機攝像頭模組中CIS芯片的價值約占50%。
1.2第一次技術變革:3360背照式取代了前照式
CIS工業的第一次技術變革是BSI背照式方案,而不是FSI前照式方案。在傳統的FSI前照式CIS方案中,光依次通過片上透鏡、濾色器、金屬電路和光電二極管,光被光電二極管接收并轉換成電信號。由于金屬電路會影響光線,最終光電二極管吸收的光線不到80%,所以弱光場景下的拍照效果明顯不如BSI方案。
在BSI背照式方案中,改變了金屬電路和光電二極管的位置,光線依次通過片上透鏡、濾色器和光電二極管,消除了金屬電路對光路的干擾,受光量和受光效率會顯著提高。
2009年是BSI CIS量產的第一年。索尼和豪相繼發布并量產BSI相機傳感器產品,標志著BSI解決方案開始大規模商用。得益于顯著的性能優勢,BSI取代FSI的趨勢不可阻擋,BSI滲透率從2009年的1.9%快速提升至2015年的70%。
1.3第二次技術變革:堆疊而非背照式
CIS芯片技術的第二次革命是堆疊技術方案取代了背照式方案。本發明的堆疊技術方案將像素感測單元和邏輯控制單元由水平堆疊改為垂直堆疊,大大增加了圖像感測單元在芯片面積中的比例。
堆疊技術方案的發展趨勢是從兩層芯片堆疊到多層芯片堆疊。2層堆疊方案堆疊像素模塊晶片和數字電路處理晶片。在3層堆疊方案中,堆疊像素模塊晶片、DRAM存儲器晶片和數字電路處理晶片。堆疊技術的使用提高了CMOS圖像傳感器的高速拍攝能力,其處理速度比傳統圖像傳感器高4倍。
技術變革的推動者是索尼。索尼在2012年發布了首款雙層堆疊的CIS芯片,產品命名為“EXMO
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