01 中電建海外項目收入較低的原因(中國的大財團有那些)

中國的大財團有那些?

今天我們就來聊聊中國目前公認的四大財團

第三代半導體SIC行業投資機會分析：10年20倍成長

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1.1 第三代半導體 SIC 材料的性能優勢

SIC 材料具有明顯的性能優勢。 SiC 和 GaN 是第三代半導體材料，與第一 二代半導體材料相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率等 性能優勢，所以又叫寬禁帶半導體材料，特別適用于 5G 射頻器件和高電壓功率 器件。

1.2 SIC 器件的性能優勢

SIC 的功率器件如 SIC MOS，相比于 Si 基的 IGBT，其導通電阻可以做的更 低，體現在產品上面，就是尺寸降低，從而縮小體積，并且開關速度快，功耗相 比于傳統功率器件要大大降低。

在電動車領域，電池重量大且價值量高，如果在 SIC 器件的使用中可以降低 功耗，減小體積，那么在電池的安排上就更游刃有余；同時在高壓直流充電樁中 應用 SIC 會使得充電時間大大縮短，帶來的巨大 社會 效益。

根據 Cree 提供的測算: 將純電動車 BEV 逆變器中的功率組件改成 SIC 時, 大 概可以減少整車功耗 5%-10%；這樣可以提升續航能力，或者減少動力電池成本。

1.3.制約產業發展的主要瓶頸在于成本和可靠性驗證

行業發展的瓶頸目前在于 SIC 襯底成本高： 目前 SIC 的成本是 Si 的 4-5 倍， 預計未來 3-5 年價格會逐漸降為 Si 的 2 倍左右，SIC 行業的增速取決于 SIC 產業 鏈成熟的速度，目前成本較高，且 SIC 器件產品參數和質量還未經足夠驗證；

SIC MOS 的產品穩定性需要時間驗證： 根據英飛凌 2020 年功率半導體應用 大會上專家披露，目前 SiC MOSFET 真正落地的時間還非常短，在車載領域才剛 開始商用（Model 3 中率先使用了 SIC MOS 的功率模塊），一些諸如短路耐受時 間等技術指標沒有提供足夠多的驗證，SIC MOS 在車載和工控等領域驗證自己的 穩定性和壽命等指標需要較長時間。

1.4 SIC 產業鏈三大環節

SIC 產業鏈分為三大環節：上游的 SIC 晶片和外延→中間的功率器件的制造 （包含經典的 IC 設計→制造→封裝三個小環節）→下游工控、新能源車、光伏風 電等應用。目前上游的晶片基本被美國 CREE 和 II-VI 等美國廠商壟斷；國內方 面，SiC 晶片商山東天岳和天科合達已經能供應 2 英寸~6 英寸的單晶襯底，且營 收都達到了一定的規模（今年均會超過 2 億元 RMB）；SiC 外延片：廈門瀚天天 成與東莞天域可生產 2 英寸~6 英寸 SiC 外延片。

2.1 應用：新能源車充電樁和光伏等將率先采用

SiC 具有前述所說的各種優勢，是高壓/高功率/高頻的功率器件相對理想的 材料, 所以 SiC 功率器件在新能源車、充電樁、新能源發電的光伏風電等這些對 效率、節能和損耗等指標比較看重的領域，具有明顯的發展前景。

高頻低壓用 Si-IGBT,高頻高壓用 SiC MOS,電壓功率不大但是高頻則用 GaN。 當低頻、高壓的情況下用 Si 的 IGBT 是最好，如果稍稍高頻但是電壓不 是很高，功率不是很高的情況下，用 Si 的 MOSFET 是最好。如果既是高頻又是 高壓的情況下，用 SiC 的 MOSFET 最好。電壓不需要很大，功率不需要很大， 但是頻率需要很高，這種情況下用 GaN 效果最佳。

以新能源車中應用 SIC MOS 為例， 根據 Cree 提供的測算: 將純電動車 BEV 逆變器中的功率組件改成 SIC 時, 大概可以減少整車功耗 5%-10%；這樣可以提升 續航能力，或者減少動力電池成本。

同時 SIC MOS 在快充充電樁等領域也將大有可為。 快速充電樁是將外部交 流電,透過 IGBT 或者 SIC MOS 轉變為直流電, 然后直接對新能源 汽車 電池進行 充電，對于損耗和其自身占用體積問題也很敏感，因此不考慮成本，SIC MOS 比 IGBT 更有前景和需求，由于目前 SIC 的成本目前是 Si 的 4-5 倍，因此會在 高功率規格的快速充電樁首先導入。在光伏領域，高效、高功率密度、高可靠 和低成本是光伏逆變器未來的發展趨勢，因此基于性能更優異的 SIC 材料的光 伏逆變器也將是未來重要的應用趨勢。

SIC 肖特基二極管的應用比傳統的肖特基二極管同樣有優勢。 碳化硅肖特基 二極管相比于傳統的硅快恢復二極管（SiFRD），具有理想的反向恢復特性。在 器件從正向導通向反向阻斷轉換時，幾乎沒有反向恢復電流，反向恢復時間小 于 20ns，因此碳化硅肖特基二極管可以工作在更高的頻率，在相同頻率下具有 更高的效率。另一個重要的特點是碳化硅肖特基二極管具有正的溫度系數，隨 著溫度的上升電阻也逐漸上升，這使得 SIC 肖特基二極管非常適合并聯實用， 增加了系統的安全性和可靠性。

2.2 空間&增速：SIC 器 件 未來 5-10 年復合 40%增長

IHS 預計未來 5-10 年 SIC 器件復合增速 40%： 根據 IHSMarkit 數據，2018 年碳化硅功率器件市場規模約 3.9 億美元，受新能源 汽車 龐大需求的驅動，以及光伏風電和充電樁等領域對于效率和功耗要求提升， 預計到 2027 年碳化硅功率器件的市場規模將超過 100 億美元，18-27 年 9 年的復合增速接近 40%。

SIC MOS 器件的滲透率取決于其成本下降和產業鏈成熟的速度 ，根據英飛凌和國內相關公司調研和產業里的專家的判斷來看，SIC MOS 滲透 IGBT 的拐點可能在 2024 年附近。預計 2025 年全球滲透率 25%，則全球有 30 億美金 SIC MOS 器件市場，中國按照 20%滲透率 2025 年則有 12 億美金的 SIC MOS 空間。 即不考慮SIC SBD 和其他 SIC 功率器件，僅測算替代 IGBT 那部分的 SIC MOS 市場預計2025 年全球 30 億美金，相對 2019 年不到 4 億美金有超過 7 倍成長，且 2025-2030 年增速延續。

2.3 格局：SIC 器件的競爭格局

目前，碳化硅器件市場還是以國外的傳統功率龍頭公司為主 ，2017 年全球市場份額占比前三的是科銳，羅姆和意法半導體，其中 CREE 從 SIC 上游材料切入到了 SIC 器件，相當于其擁有了從上游 SIC 片到下游 SIC 器件的產業鏈一體化能力。

國內的企業均處于初創期或者剛剛介入 SIC 領域 ，包括傳統的功率器件廠商華潤微、捷捷微電、揚杰 科技 ，從傳統的硅基 MOSFET、晶閘管、二極管等切入 SIC 領域，IGBT 廠商斯達半導、比亞迪半導體等，但國內 當前的 SIC 器件營收規模都比較小 （揚杰 科技 最新披露 SIC 營收 2020 年上半年 19.28 萬元左右）；

未上市公司和單位中做的較好的有前面產業鏈總結中提到的一些，包括：

泰科天潤： 可以量產 SiC SBD，產品涵蓋 600V/5A～50A、1200V/5A～50A 和1700V/10A 系列；并且早在 2015 年，泰科天潤就宣布推出了一款高功率碳化硅肖特基二極管產品，是從事 SIC 器件的較純正的公司；

中電科 55 所： 國內從 4-6 寸碳化硅外延生長、芯片設計與制造、模塊封裝實現全產業鏈的單位；

深圳基本半導體 ：成立于 2016 年，由清華大學、浙江大學、劍橋大學等國內外知名高校博士團隊創立，專注于 SIC 功率器件，也是深圳第三代半導體研究院發起單位之一，目前已經開始推出其 1200V 的 SiC MOSFET 產品。

3.1 天科合達

天科合達是國內第三代半導體材料 SIC 晶片的領軍企業： 公司成立于 2006 年 9 月 12 日，2017 年 4 月至 2019 年 8 月在全國股轉系統掛牌轉讓，2020 年 7 月擬在科創板市場上市。

公司成長速度極快，2017-2019 年公司收入由 0.24 億增長至 1.55 億元，兩年 復合增長率 154%。

營收構成：SIC 晶片占比約為一半

公司營收由三部分構成：碳化硅晶片占比 48.12%，寶石等其他碳化硅產品 占比 36.65%，碳化硅單晶生長爐占比 15.23%。

設備自制：從設備到 SIC 片一體化布局

公司以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長 碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片；其中的碳化硅晶體的生長設備-碳化硅單晶 生長爐公司也能完成自制并對外銷售。

行業格局與公司地位

公司地位：2018 年，以導電型的 SIC 來看，天科合達以 1.7%的市場占有率 排名全球第六，排名國內導電型碳化硅晶片第一。

3.2 山東天岳

1、半絕緣 SIC 片的領軍企業： 公司成立于 2010 年，專注于碳化硅晶體襯底 材料的生產；公司產品主要在半絕緣型的 SIC 片。公司投資建成了第三代半導 體材料產業化基地，具備研發、生產國際先進水平的半導體襯底材料的軟硬件 條件，是我國第三代半導體襯底材料行業的先進企業。

2、成長能力： 據了解，公司收入從 2018 年收入 1.1 億左右增加至 2019 年超 過 2.5 億總收入（其中也有約一半是 SIC 衍生產品寶石等），同比增長 100%以 上。公司的 SIC 片主要集中在半絕緣型，而天科合達主要集中在導電型。

3、華為入股： 華為旗下的哈勃 科技 投資持股山東天岳 8.17%。

4、生產能力（ 公司采用的是長晶爐的數量進行表征）：山東天岳的產能主 要由長晶爐的數量決定，2019 年產線上長晶爐接近 250 臺，銷售襯底約 2.5 萬 片，預計年底前再購置一批長晶爐，目標增加至 550 臺以上；

5、銷售價格： 2018 、2019 年公司襯底平均銷售價格大數大約在 6300 元/ 片、8900 元/片，預計今年的平均價格將會突破 9000 元，價格變動的主要原因 是 2,3 寸小尺寸襯底、N 型等相對低價的襯底銷售占比逐步降低，高值的 4 寸 高純半絕緣產品占比逐步提升導致單位售價提高。

6、技術實力： 山東天岳的碳化硅技術起源于山東大學晶體國家重點實驗 室，公司于 2011 年購買了該實驗室蔣明華院士專利，并投入了大量研發，歷經 多年工藝積累，將碳化硅襯底從實驗室的技術發展成為了產業化技術；山東天 岳除 30 人的研發團隊外，還在海外設有 6 個聯合研發中心；公司擁有專利近300 項，其中先進發明專利約 50 多項，先進實用性專利約 220 項

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