01 廣東睿力國際貿易有限公司(國內集成電路行業，目前的情況怎么樣？前景如何？)

國內集成電路行業，目前的情況怎么樣？前景如何？

我這里有一份。要的話可以給你發一份。

2011 年 1月 2日

中國集成電路產業發展現狀 中國集成電路產業發展現狀 集成電路產業發展

關鍵詞：中國集成電路現狀

集成電路產業是知識密集、技術密集和資金密集型產業，世界集成電路產業發 展迅速，技術日新月異。2003年前中國集成電路產業無論從質還是從量來說都不 算發達， 但伴隨著全球產業東移的大潮， 中國的經濟穩定增長， 巨大的內需市場， 以及充裕的人才，中國集成電路產業已然崛起成為新的世界集成電路制造中心。 二十一世紀， 我國必須加強發展自己的電子信息產業。 它是推動我國經濟發展， 促進科技進步的支柱，是增強我國綜合實力的重要手段。作為電子信息產業基 礎的集成電路產業必須優先發展。只有擁有堅實的集成電路產業，才能有力地 支持我國經濟、軍事、科技及社會發展第三步發展戰略目標的實現。

一、我國集成電路產業發展迅速 1998 年我國集成電路產量為 22.2 億塊，銷售規模為 58.5 億元。 到 2009 年，我國集成電路產量為 411 億塊，銷售額為 1110 億元，12 年間產量 和銷售額分別擴大 18.5 倍與 20 倍之多，年均增速分別達到 38.1%與 40.2%，銷 售額增速遠遠高于同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中國集成電路產業重大變化 2008年是中國集成電路產業發展過程中出現重大變化的一年。 全球金融危機不 僅使世界半導體市場衰退，同時也使中國出口產品數量明顯減少，占中國出口總 額1/3左右的電子信息產品增速回落，其核心部件的集成電路產品的需求量相應 減少。 人民幣升值也是影響產業發展的一個不可忽視的因素， 因為在目前國內集成電 路產品銷售額中直接出口占到70%左右， 人民幣升值對于以美元為結算貨幣的出 口貿易有著重要影響，人民幣兌美元每升值1%，國內集成電路產業整體銷售額 增幅將減少1.2到1.4個百分點，在即將到來的2011年里，人民幣加速升值值得關 注。 三、中國集成電路產品產銷概況 中國集成電路產品產銷概況 中國集 2008年中國集成電路產業在產業發展周期性低谷呈現出增速逐季遞減狀態， 全年 銷售總額僅有1246.82億元，比2007年減少了0.4%，出現了未曾有過的負增長局 面；全年集成電路產量為417.14億塊，較2007年僅增長了1.3%。近幾年我國集成 電路產品產量和銷售額的情況如圖1和圖2所示：

圖1 2003—2008年中國集成電路產品產量增長情況

圖2 2003—2008年中國集成電路產品銷售額增長情況 由上圖可知，最近幾年我國集成電路產品銷售額雖逐年上升，但上升的速度卻 緩慢，這是因為在國務院18號文件頒布后的五年中，中國集成電路產業的產品銷 售額一直以年均增長率30%以上的速度上升， 是這個時期世界集成電路增長速度 的3倍，是一種階段性的超高速發展的狀態；一般情況下，我國集成電路產業年 均增長率能保持在世界增長率的1.5倍左右已屬高速發展，因此，在2007年以后， 我國集成電路產業的年增長速度逐步減緩應屬正常勢態， 在世界集成電路產業周 期性低谷階段，20%左右的年增長率仍然是難得的高速度。世界經濟從美國次貸 危機開始逐步向全世界擴展，形成金融危機后又向經濟實體部門擴散，從2008

年開始對中國集成電路產業產生影響，到第三季度國際金融危機明顯爆發后，中 國集成電路產業銷售額就出現了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形態。圖3 是這個變化過程。

圖3 2006Q1－2008Q4中國集成電路產品銷售收入及同比(季期)增長率 中國集成電路產業的發展得益于產業環境的改善， 抵御金融危機的影響政策 十分顯著。2008年1月，財政部和國家稅務總局發布了《關于企業所得稅若干優 惠政策的通知》(財稅〔2008〕1號)，對集成電路企業所享受的所得稅優惠十分 重視。日前通過的《電子信息產業調整和振興規劃》 ，又把“建立自主可控的集成 電路產業體系”作為未來國內信息產業發展的三大重點任務之一，在五大發展舉 措中明確提出“加大投入，集中力量實施集成電路升級”。2005年由國務院發布的 《國家中長期科學和技術發展規劃綱要 (2006━2020年)》(國發[2005]44號),確定 并安排了16個國家重大專項，其中把“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件 產品”與“超大規模集成電路制造裝備及成套工藝”列在多個重大專項的前兩位； 2008年4月國務院常務會議已審議并原則通過了這兩個重大專項的實施方案，為 專項涉及的相關領域提供了良好的發展契機。 中國各級政府對集成電路產業發展 的積極支持和相關政策的不斷落實， 對我國集成電路產業的發展產生了積極的影 響。 四、中國集成電路產品需求市場 近些年來，隨著中國電子信息產品制造業的迅速發展，在中國市場上對集成 電路產品的需求呈現出飛速發展的勢態，并成為全球半導體行業的關注點，即使 中國集成電路產品的需 在國內外半導體產業陷入低迷并出現了負增長的2008年，

求市場仍保持著增長的勢頭， 這是由中國信息產品制造業的銷售額保持著10%以 上的正增長率所決定的。 中國最近幾年的集成電路產品市場需求額變化情況如圖 4所示。

圖4 2004-2008年中國集成電路市場需求額 五、我國集成電路產業結構 設計、制造和封裝測試業三業并舉，半導體設備和材料的研發水平和生產能 力不斷增強，產業鏈基本形成。隨著前幾年 IC 設計業和芯片制造業的加速發展， 設計業和芯片制造業所占比重逐步上升，國內集成電路產業結構逐漸趨于合理。 2006年設計業的銷售額為186.2億元， 比2005年增長49.8%； 2007年銷售額為225.7 億元，比2006年增長21.2%。芯片制造業2006年銷售額為323.5億元，比2005年增 長了38.9%； 2007年銷售額為397.9億元， 比2006年增長又23.0%。 封裝測試業2006 年銷售額為496.6億元，比2005年增長43.9%；2007年銷售額為627.7億元，比2006 年增長26.4%。2001年我國設計業、芯片制造業、封測業的銷售額分別為11億元、 27.2億元、161.1億元，分別占全年總銷售額的5.6%、13.6%、80.8%，產業結構 不盡合理。 最近5年來， 在產業規模不斷擴大的同時，IC 產業結構逐步趨于合理， 設計業和芯片制造業在產業中的比重顯著提高。到2007年我國 IC 設計業、芯片 制造業、封測業的銷售額分別為225.5億元、396.9億元、627.7億元，分別占全年 總銷售額的18.0%、31.7%、50.2%。 半導體設備材料的研發和生產能力不斷增強。 在設備方面， 65納米開始導入生產， 中芯國際與 IBM 在45納米技術上開展合作，FBP（平面凸點式封裝）和 MCP（多

芯片封裝）等先進封裝技術開發成功并投入生產，自主開發的8英寸100納米等離 子刻蝕機和大角度離子注入機、12英寸硅片已進入生產線使用。在材料方面，已 研發出8英寸和12英寸硅單晶，硅晶圓和光刻膠的國內生產能力和供應能力不斷 增強。

但是2008年，國內集成電路設計、芯片制造與封裝測試三業均不同程度的受 到市場低迷的影響，其中芯片制造業最明顯，全年芯片制造業規模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要芯片制造企業均出現了產能閑置、業績下滑的情 況；封裝測試業普遍訂單下降、開工率不足，全年增幅為-1.4%；集成電路設計 業也受到國內市場需求增長放緩的影響， 由于重點企業在技術升級與產品創新方 面所做的努力部份地抵御了市場需求不振所帶來的影響， 全年增速仍保持在正增 長狀態，為4.2%，高于國內集成電路產業的整體增幅。如圖5所示。

圖5 2008年中國集成電路產業基本結構

六、集成電路技術發展 集成電路技術發展 我國技術創新能力不斷提高，與國外先進水平差距不斷縮小。從改革開放之初 的 3 英寸生產線，發展到目前的 12 英寸生產線，IC 制造工藝向深亞微米挺進， 封裝測試水平從低端邁向中 研發了不少工藝模塊， 先進加工工藝已達到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先進封裝形式的開發和生產

方面取得了顯著成績。IC 設計水平大大提升，設計能力小于等于 0.5 微米企業比 例已超過 60%，其中設計能力在 0.18 微米以下企業占相當比例，部分企業設計 水平已經達到 100nm 的先進水平。設計能力在百萬門規模以上的國內 IC 設計企 業比例已上升到 20%以上，最大設計規模已經超過 5000 萬門級。相當一批 IC 已投入量產，不僅滿足國內市場需求，有的還進入國際市場。 總之，集成電路產業是信息產業和現代制造業的核心戰略產業，其已成為一些 國家信息產業的重中之重。 2011年我國集成電路產業的發展將勉勵更好的發展環 境，國家政府的支持力度將進一步增加，新的扶植政策也會盡快出臺，支持研發 的資金將會增多，國內市場空間更為廣闊，我國集成電路產業仍將保持較快的發 展速度，占全球市場份額比重必會進一步增大！！ ！

附錄： 附錄： 中國集成電路產業發展大事記（摘自網絡） 中國集成電路產業發展大事記（摘自網絡） 1947 年，美國貝爾實驗室發明了晶體管。 1956 年，中國提出“向科學進軍”，把半導體技術列為國家四大緊急措施 之一。 1957 年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用 物理研究所和二機部十局第十一所開發鍺晶體管。當年，中國相繼研制出鍺點接 觸二極管和三極管（即晶體管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）單晶。 1962 年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs） ，為研究制備其他化合物半導體打 下了基礎。 1962 年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。 1963 年，河北省半導體研究所制成硅平面型晶體管。 1964 年，河北省半導體研究所研制出硅外延平面型晶體管。 1965 年 12 月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，并 在國內首先鑒定了 DTL 型（二極管――晶體管邏輯）數字邏輯電路。1966 年底， 在工廠范圍內上海元件五廠鑒定了 TTL 電路產品。 這些小規模雙極型數字集成電 路主要以與非門為主，還有與非驅動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路 等。標志著中國已經制成了自己的小規模集成電路。 1968 年，組建國營東光電工廠（878 廠） 、上海無線電十九廠，至 1970 年建 成投產，形成中國 IC 產業中的“兩霸”。 1968 年，上海無線電十四廠首家制成 PMOS（P 型金屬－氧化物半導體）電 路（MOSIC） 。拉開了我國發展 MOS 電路的序幕，并在七十年代初，永川半導體研 究所（現電子第 24 所） 、上無十四廠和北京 878 廠相繼研制成功 NMOS 電路。之

后，又研制成 CMOS 電路。 七十年代初，全國掀起了建設 IC 生產企業的熱潮，共有四十多家集成電路 工廠建成。 1972 年，中國第一塊 PMOS 型 LSI 電路在四川永川半導體研究所研制成功。 1973 年，我國 7 個單位分別從國外引進單臺設備，期望建成七條 3 英寸工 藝線，最后只有北京 878 廠，航天部陜西驪山 771 所和貴州都勻 4433 廠。 1976

很赞哦!（131）